个人概况：
宫箭，男，理学博士，教授，博士生导师；主要从介观体系中的自旋极化输运现象；半导体量子结构的输运性质及其电子态；微电子器件模拟等研究方向。目前在该领域国内外知名期刊Phys. Rev. B，Phys. Rev. A, Adv. Mater., J. Mater. Chem. A, Phys. Chem. Chem. Phys, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., Physical. E发表学术论文60余篇。
教育经历
1994.9-1998.7 内蒙古大学物理学专业学士学位
1998.9-2001.7内蒙古大学理论物理专业硕士学位
2001.9-2005.7内蒙古大学理论物理专业博士学位
工作简历
2024.02-至今，鄂尔多斯应用技术学院经理
2022.5.30-2024.02, 太阳集团tyc3345副董事长
2010.12-2022.5.30, 内蒙古大学, 物理科学与技术学院, 教授
2012.9-2013.9, 美国劳伦斯伯克利国家实验室, 材料科学部, 访问学者
2009.4-2009.7, 香港城市大学, 材料系, 助理教授
2006.4-2010.12, 内蒙古大学, 物理科学与技术学院, 副教授
2005.9-2007.7, 中科院半导体所, 博士后, 合作导师: 李树深
2001.7-2006.4, 内蒙古大学, 理工学院物理系, 讲师
2001.9–2005.7, 内蒙古大学, 理论物理, 博士, 导师: 梁希侠
1998.9–2001.7, 内蒙古大学, 凝聚态物理, 硕士, 导师: 班士良
1994.9–1998.7, 内蒙古大学, 物理学, 学士
培养研究生情况：
现有在读博士研究生3人，硕士研究生7人，每年拟招博士生1人，硕士生1-2人。
目前主持的各类科研项目：
1.主持国家自然科学基金“层状半导体结构中自旋极化隧穿的动力学研究”起止时间：2009年1月- 2011年12月。
2.主持国家自然科学基金“隧穿场效应晶体管中齐纳隧穿的理论研究”起止时间：2014年1月- 2018年12月。
3. 国家自然科学基金“二维范德华异质结层间隧穿及复合界面效应的理论研究” 起止时间：2020年1月-2023年12月。
4. 内蒙古自然科学基金重点项目“基于狄拉克半金属异质结构的新型低功耗高性能器件设计及物理性质研究”起止时间：2023年01月至2025年12月。
教学项目：
1. 2020年11月，工业化单晶硅太阳电池制备工艺优化虚拟仿真实验，国家级一流本科课程建设。
2. 2020年10月，面向少数民族地区在物理学科助力下电子科学与技术专业升级探索与实践，E-DZYQ20201409，教育部新工科研究与实践项目。
奖励、荣誉和学术兼职
获奖、荣誉
1. 2005年“热物理”系列课程教学改革与建设，内蒙古自治区教学成果二等奖。
2 .2009年“介观系统电子—声子相互作用和隧穿问题的理论研究，内蒙古自治区自然科学奖一等奖。
3. 2009年“国家精品课程改革与建设”获内蒙古自治区教学成果一等奖。
4. 2009年10月获第七届内蒙古自治区青年科技奖。
5. 2011年6月内蒙古自治区高等学校教坛新秀奖。
6. 2011年内蒙古大学励学奖。
7. 2013年“创新知识体系的热物理理论和通识课程改革实践与开放共享”，内蒙古自治区教学成果一等奖。
8. 2014年获内蒙古自治区首届科技标兵称号。
9. 2014年“创新知识体系的热物理理论课程改革实践与开放共享”，国家教学成果二等奖
10. 2018年“国家特色物理学专业建设与创新人才培养”荣获内蒙古自治区教学成果一等奖。
11. 2018年获宝钢优秀教师特等奖提名奖。
12. 2019年获自治区突出贡献专家。
13. 2022年获自治区教学成果一等奖，以物理学科优势推进电子科学与技术专业新工科建设的改革与实践，排名第三。
学术兼职
1.教育部教学指导委员会物理学类专业教学指导委员会委员（2018-2022）。
2.内蒙古自治区物理学会秘书长。
3.计算物理学会理事。
4.全国高等学校固体物理研究会常务理事。
论文情况：
33. Y. X. Zhang, W. T. Lin, H. S. Zhang, J. Lyu, J. Gong*, S. Q. Guo*. Spin orbit coupling modulated tunneling magnetoresistance in MnBr2-based antiferromagnetic magnetic tunnel junctions. Physica B: Condensed Matter, 724, 418204(2026).
32. S. Lang, W. Zhang, S. Song, S. Q. Guo, H. S. Zhang, J. Lyu*, J. Gong*. High-Performance Monolayer 1T-GeO2 Transistors with Low-Resistance Metal Contacts. Advanced Electronic Materials, 11(19), e00407(2025).
31. S. Lang, S. Q. Guo, H. S. Zhang, J. Lyu*, J. Gong*. Monolayer BX (X = P, As, Sb): Emerging High-Performance Channel Materials for Advanced Transistors. Advanced Electronic Materials, 11(18), e00220(2025).
30. J. Lyu*, S. Lang, N. Dong, S. Song, J. Gong*, H. L. Li*. Resistive switching properties of monolayer 1T-HfO2 atomristors with different metal electrodes. Physical Review Applied, 23, 044035(2025).
29. K. Shi, S. Lang, S. Song, S. Q. Guo, H. S. Zhang, J. Lyu*, J. Gong*. Thermionic emission-dominated sub-60 mV dec-1 operation in BSb/CNT van der Waals heterostructure transistors. New Journal of Physics, 27(9), 093503(2025).
28. L. Qin, J. Lyu, S. Y. Yang*, S. Song*, J. Gong*. Engineering SnSe Isolated State Steep-Slope MOSFETs for High-Performance Applications. Advanced Electronic Materials, 11(20), e00573(2025).
27. F. J. Kang, S. S. Liu, J. J. Kang, Z. Peng, S. Q. Guo, J. Lyu, H. S. Zhang*, J. Gong*. Sulfur Passivation Engineering of Carbon Defects in N-Surface GaN: Suppressing Nonadiabatic Carrier Recombination Via Self-Compensated SN-CN Complexes. The Journal of Physical Chemistry Letters, 16(24), 5938-5945(2025).
26. S. Su, X, Lv*, J. Gong*, Z. Fan*. Ultrasensitive and Selective ZPNRs-H Sensor for Sulfur Gas Molecules Detection. Nanomaterials, 15(16), 1273(2025).
25. X. Lv, T. Han, R. Liu, F. Li*, J. Gong*, Z. Chen*. High-throughput Theoretical Exploration of Multifunctional Planar MBenes: Magnetism, Topology, Superconductivity, and Anode Applications. Advanced Powder Materials, 4(3), 100297(2025).
24. Surila, X. Lv*, S. Su, B. Zhang, J. Gong*. Doping at sp2-Site in Graphene+ Monolayers as High-Capacity Nodal-Line Semimetal Anodes for Na-Ion Batteries: A DFT Study. ACS Omega, 10(9), 9301-9313(2025).
23. H. Xie, X. Lv, Z. Mo, J. Gong, X. Gao, Z. Li , J. Wu , J. Shen. Tailoring the cryogenic magnetism and magnetocaloric effect from Zr substitution in EuTiO3 perovskite. Journal of Materials Science & Technology, 193, 90-97(2024).
22. S. S. Liu, H. S. Zhang*, F. J. Kang, Z. Peng, S. Q. Guo, J. Lyu, J. Gong*. Identification and Passivation of D-Center in 4H-SiC: A First-Principles Study. Annalen der Physik, 2400317(2024).
21. S. Song, L. Qin, Z. Wang, J. Lyu, J. Gong*, S. Yang*. Improving the Performance of Arsenene Nanoribbon Gate-All-Around Tunnel Field-Effect Transistors Using H Defects. Nanomaterials, 14(23), 1960(2024).
20. Q. J. Wang, H. S. Zhang*, L. Shi, Y. H. Cheng, J. Gong*. Regulation of CN-related optical transitions and non-radiative capture cross-section by biaxial strain in AlN. Physics Letters A, 528, 130034(2024).
19. R. Yue, X. Su, X. Lv*, B. Zhang, S. Su, H. Li, S. Guo*, J. Gong*. Room-temperature ferromagnetism, half-metallicity and spin transport in monolayer CrSc2Te4-based magnetic tunnel junction devices. Physical Chemistry Chemical Physics, 26(28), 19207-19216(2024).
18. S. Lang, S. Song, J. Lyu*, J. Gong*. Device Transport Characteristics of Monolayer SnS2 and HfS2 Field-Effect Transistors with Semimetal Contacts. Journal of Physical Chemistry C, 128(34), 14458-14468(2024).
17. S. Song, J. Lyu, L. Qin, Z. Wang, J. Gong*, S. Yang*. Lateral graphene/MoS2 heterostructures for steep-slope Dirac-source field-effect transistors. Physical Review B, 110(12), 125407(2024).
16. Z. Zhao, T. Xiong, J. Gong*, Y. Y. Liu*. Distinguishing the Charge Trapping Centers in CaF2-Based 2D Material MOSFETs. Nanomaterials, 14(12), 1038(2024).
15. L. He, S. Lang, W. Zhang, S. Song, J. Lyu*, J. Gong*. First-Principles Prediction of High and Low Resistance States in Ta/h-BN/Ta Atomristor. Nanomaterials, 14(7), 612(2024).
14. Q. J. Wang, H. S. Zhang*, L. Shi, J. Gong*. Origin of Ga vacancy-related YL center in n-type GaN: A first-principles study. Journal of Luminescence, 225, 119561(2023).
13. J. Lyu, J. Gong*, H. Li*. Harnessing defects for high-performance MoS2 tunneling field-effect transistors. Materials Research Letters, 11(4), 266-273(2023).
12. J. Lyu, S. Song, J. Gong*. Bi2O2Se/Xene for Steep-Slope Transistors. ACS Applied Electronic Materials, 5(8), 4248-4253(2023).
11. J. Jyu, J. Gong*. Simulation of a Steep-Slope p- and n-Type HfS2/MoTe2 Field-Effect Transistor with the Hybrid Transport Mechanism. Nanomaterials, 13(4), 649(2023).
10. Y. Dong, J. Li, F. Li, and J. Gong*, DFT Investigations on the Boron–Phosphorus Assembled Nanowires, Journal of Cluster Science, 2022, 33, 2157.
9. H. S. Zhang, J. Gong*, and L. Shi*, “Antisite Defect SiC as a Source of the DI Center in 4H-SiC”, Physica Status Solidi– Rapid Research Letters, 2022, 2200239.
8. R. Y. Wang, J. Lyu,* J. Gong* Strain Benefits of monolayer α-GeTe and its application in low-power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2022, 16, 2200174.
7. S. Song, J. Gong*, S. Y. Yang, et al. Influence of the interface structure and strain on the rectification performance of lateral MoS2/graphene heterostructure devices, Physical Chemistry Chemical Physics, 2022, 24, 2265.
6. S. Song, J. Gong*, S. Y. Yang, et al. Improving performance of monolayer arsenene tunnel field-effect transistors by defects, Nanoscale Advances, 2022, 4, 3023.
5.Y. N. Dong, S. K. Wang, C. B. Yu, F. Y. Li, J. Gong* and J. J. Zhao. First-principles explorations on P-8 and N-2 assembled nanowire and nanosheet. Nano Express, 2(1), 01004(2021).
4.X. D. Lv, L. K. Yu, F. Y. Li, J. Gong*, Y. He and Z. F. Chen. Penta-MS2 (M = Mn, Ni, Cu/Ag and Zn/Cd) monolayers with negative Poisson's ratios and tunable bandgaps as water-splitting photocatalysts. Journal of Materials Chemistry A, 9(11), 6993–7004 (2021).
3.Y. N. Dong, B. Xu, H. Y. Hu, J. S. Yang, F. Y. Li, J. Gong* and Z. F. Chen. C9N4 and C2N6S3 monolayers as promising anchoring materials for lithium-sulfur batteries: weakening the shuttle effect via optimizing lithium bonds. Physical Chemistry Chemical Physics, 23(23), 12958-12967(2021)
2.Y. N. Dong, X.D. Lv, L. K. Yu, F. Y. Li and J. Gong*. Two-dimensional phosphorus-based binary nanosheets for photocatalyzing water splitting: A first-principles study. Chemical Physics Letters, 772, 138594(2021).
1.Y. N. Dong, J. Li, F. Y. Li and J Gong*. DFT Investigations on the Boron-Phosphorus Assembled Nanowires. Journal of Cluster Science, (2021).